- 群聯(lián)預(yù)估NAND閃存芯片材料短缺，將導(dǎo)致SSD價格上漲
- 三星成功生產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，預(yù)計明年量產(chǎn)
- 韓國NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長
- 三星計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超300層
- ?SK海力士打響300層NAND第一槍，NAND閃存格局要變天？
- 三星預(yù)計2024年量產(chǎn)堆疊300層以上、第九代3DNAND閃存技術(shù)
- 三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)
- 遺憾！國產(chǎn)NAND閃存芯片崛起，但全球份額還不到4%
- SK海力士宣布321層1TB TLC4D NAND閃存技術(shù)，預(yù)計2025年上半期量產(chǎn)
- 三星計劃提高512Gb NAND閃存晶片價格，漲幅達15%
