- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開(kāi)發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce：Q2 全球 DRAM 營(yíng)收 255.9 億美元，三星、SK 海力士共占 70.9% 份額
- 消息稱 SK 海力士將于明年初在美國(guó)新建芯片封裝工廠，耗資數(shù)十億美元
- 美國(guó)對(duì)華“組合拳”顯成效？傳三星、SK海力士重新評(píng)估對(duì)華投資，或轉(zhuǎn)向美國(guó)
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
- 成功通過(guò)中國(guó)、韓國(guó)反壟斷審查，SK 海力士 5758 億韓元正式收購(gòu) Key Foundry
- SK 海力士開(kāi)發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
- 傳輸速度暴增50％：SK海力士宣布238層NND閃存！國(guó)產(chǎn)閃存迎頭趕上
- 存儲(chǔ)芯片價(jià)格 Q3 預(yù)計(jì)下滑超過(guò) 5%，將影響三星與 SK 海力士業(yè)績(jī)
