- Nature子刊突破性進(jìn)展！西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o教授發(fā)表金剛石基氧化鎵熱管理相關(guān)成果
- 我國(guó)氧化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù)取得重大突破，第四代半導(dǎo)體漸行漸近
- 國(guó)內(nèi)首個(gè)！6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化！都有哪些優(yōu)勢(shì)？
- 氧化鎵商業(yè)化腳步臨近，或?qū)⑴c碳化硅直接競(jìng)爭(zhēng)
- 氮化鎵、氧化鎵量產(chǎn)最大難點(diǎn)竟是“生長(zhǎng)”過(guò)程，國(guó)產(chǎn)“助長(zhǎng)”技術(shù)已有突破
- 三菱電機(jī)入局最強(qiáng)半導(dǎo)體，氧化鎵將在10年后打敗第三代半導(dǎo)體
- 全方位對(duì)比分析，為什么氧化鎵才是迄今為止最好的芯片材料？
- 第四代半導(dǎo)體再突破，我國(guó)團(tuán)隊(duì)在 8 英寸硅片上制備出高質(zhì)量氧化鎵外延片
- 國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破
- 我國(guó)成功制備6英寸氧化鎵單晶，第四代半導(dǎo)體正式“撒網(wǎng)”
