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KBL610_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:KBL 類(lèi)別:整流橋 最小包裝:500盒 參數(shù)1:正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數(shù)2:直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3:平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4:正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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描述: 此款半導(dǎo)體器件是一款采用KBL封裝技術(shù)的高耐壓整流橋,專(zhuān)為大電流、高效能應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。其核心參數(shù)包括VR最高耐受電壓1000V,確保在嚴(yán)苛高壓環(huán)境下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行;VF特性表現(xiàn)為1.1V@6A,即使在6A滿載電流下,仍能維持超低壓降,極大提高能源轉(zhuǎn)換效率與節(jié)能效果;額定輸出電流IO達(dá)到6A,提供強(qiáng)勁且持久的電力處理能力。適用于各類(lèi)高端電源系統(tǒng)、逆變器等大電流電子設(shè)備,是提升整體性能和可靠性的理想元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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