GBU606_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款GBU封裝的高性能整流橋半導(dǎo)體器件，專為大電流、高效能應(yīng)用打造。其關(guān)鍵特性包括VR耐壓高達(dá)600V，確保在常規(guī)電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行；VF值低至1.05V@6A，即使在滿載電流6A時(shí)也能實(shí)現(xiàn)超低壓降，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率和節(jié)能效果；額定輸出電流IO為6A，提供強(qiáng)勁而穩(wěn)定的電流處理能力。廣泛應(yīng)用于各類中高端電源系統(tǒng)、逆變器及其他大電流電子設(shè)備中，是優(yōu)化系統(tǒng)性能與可靠性的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
