GBP610_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
描述: 這款GBP封裝整流橋器件，是專為高效率電源轉換應用設計的優(yōu)質半導體元件。具備高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩(wěn)定工作。其特性包括在2A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效降低能耗并提升系統(tǒng)效能。盡管在小電流下表現(xiàn)出色，該器件的最大連續(xù)輸出電流可達6A（IO），展現(xiàn)出卓越的電流承載和瞬態(tài)響應能力。適用于各類需要處理高電壓、大電流瞬變的應用場景，是您電路設計的理想之選，助力實現(xiàn)高效可靠的電源轉換解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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