KM3P6001CM-B517是一種多芯片封裝存儲器，結(jié)合了64GB eMMC和48Gb（16Gb * 3）TDP LPDDR4X SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封裝形式設(shè)計的嵌入式MMC解決方案。 eMMC操作與MMC設(shè)備相同，因此是使用行業(yè)標準MMC協(xié)議v5.1進行的簡單讀寫操作。eMMC由NAND閃存和MMC控制器組成。 NAND區(qū)域（VCC）需要3V電源電壓，而MMC控制器支持1.8V或3V雙電源電壓（VCCQ）。三星eMMC支持HS400以提高順序帶寬，尤其是順序讀取性能。使用eMMC有很多優(yōu)點。它易于使用，因為MMC接口允許與帶有MMC主機的任何微處理器輕松集成。由于嵌入式MMC控制器將NAND技術(shù)與主機隔離，因此主機對NAND的任何修訂或修正都是不可見的。這將導(dǎo)致更快的產(chǎn)品開發(fā)以及更快的上市時間。eMMC的嵌入式閃存管理軟件或FTL（閃存過渡層）可管理損耗均衡，壞塊管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND閃存的所有功能，并實現(xiàn)最佳性能。

KM3P6001CM-B517原理框圖：


特點：
1、eMMC
嵌入式MultiMediaCard版本。 5.1兼容。
SAMSUNG eMMC支持JEDEC標準中定義的eMMC5.1功能。
-主要支持的功能：HS400，現(xiàn)場固件更新，緩存，命令隊列，增強的選通模式，安全寫保護，分區(qū)類型。
-不支持的功能：大扇區(qū)大?。?KB）。
與以前的MultiMediaCard系統(tǒng)規(guī)范（1位數(shù)據(jù)總線，multi-eMMC系統(tǒng)）向后兼容。
數(shù)據(jù)總線寬度：1位（默認），4位和8位。
MMC I / F時鐘頻率：0?200MHz; MMC I / F引導(dǎo)頻率：0?52MHz
電源：接口電源→VCCQ（1.70V?1.95V），存儲器電源→VCC（2.7V?3.6V）

2、LPDDR4X SDRAM
?雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)；每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸
?雙向數(shù)據(jù)選通（DQS_t，DQS_c），與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收，用于在接收器處捕獲數(shù)據(jù)
?差分時鐘輸入（CK_t和CK_c）
?差分數(shù)據(jù)選通（DQS_t和DQS_c）
?命令和地址輸入正CK邊沿；數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼引用到DQS的兩個邊緣
?每個芯片2通道組成
?每個渠道8個內(nèi)部銀行
?DMI引腳：正常的讀寫操作時為DBI（數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)），DBI關(guān)閉時為掩蔽寫入的數(shù)據(jù)掩碼（DM）； DBI開啟時為掩蔽寫入計數(shù)DQ 1的數(shù)量
?突發(fā)長度：16、32（OTF）
?突發(fā)類型：順序
?讀寫延遲：請參閱表65 LPDDR4X AC時序表
?每個突發(fā)訪問都有自動預(yù)充電選項
?可配置的驅(qū)動強度
?刷新和自我刷新模式
?部分陣列自刷新和溫度補償自刷新
?寫作練級
?CA校準
?內(nèi)部VREF和VREF培訓(xùn)
?基于FIFO的讀/寫訓(xùn)練
?MPC（多用途命令）
?LVSTLE（低電壓擺幅端接邏輯擴展）IO
?VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.8V / 1.1V / 0.6V
?VSSQ端接
?沒有DLL：CK至DQS不同步
?邊緣對齊的數(shù)據(jù)輸出，數(shù)據(jù)輸入中心對齊的寫訓(xùn)練刷新率：3.9us

引腳配置：