ES1D-E3/5AT_SMA_快恢復(fù)/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復(fù)/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:1A 參數(shù)2：電壓VR:200V 參數(shù)3：壓降VF:0.95V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款快恢復(fù)二極管具有高效率特性，其最大平均正向電流（IF）為1安培，能夠承受最高反向電壓（VR）達(dá)到200伏特。在正向?qū)顟B(tài)下的電壓降（VF）僅為0.95伏特，這有助于減少能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）控制在微安級(jí)別，具體為5微安，在瞬態(tài)大電流（IFSM）情況下可承受高達(dá)30安培的峰值。這些特性使其非常適合用于高頻開關(guān)電源以及需要高效能整流的應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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