US1G-E3/5AT_SMA_快恢復(fù)/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復(fù)/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:1A 參數(shù)2：電壓VR:400V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款快恢復(fù)二極管具備高效率特點(diǎn)，額定最大平均正向電流（IF）為1A，可承受的最高反向電壓（VR）為400V。當(dāng)處于正向?qū)顟B(tài)時，其電壓降（VF）為1.3V，有助于保持較高的轉(zhuǎn)換效率。反向漏電流（IR）維持在較低水平，僅為5μA，同時支持瞬態(tài)大電流（IFSM）30A的沖擊。該二極管適用于要求嚴(yán)苛的高頻切換電路及需要快速恢復(fù)時間的應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
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