US1GHE3_A/H_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SMA 類別:快恢復/高效率二極管 最小包裝:2000/圓盤 參數(shù)1:電流IO:1A 參數(shù)2:電壓VR:400V 參數(shù)3:壓降VF:1.3V 參數(shù)4:反向電流IR:5uA 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款快恢復/高效率二極管具有1A的正向電流(IF)承載能力,以及400V的反向電壓(VR)耐受性,適用于多種高壓應用。其正向電壓降(VF)低至1.3V,有助于降低能耗,提升系統(tǒng)效率。反向漏電流(IR)限制在5μA,確保了在非導通狀態(tài)下幾乎無電流損耗。瞬時正向峰值電流(IFSM)達到30A,能夠應對短時電流高峰。該二極管適用于高頻開關電源、整流電路以及其他需要高效能快速切換的應用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:13823583904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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