US1GHE3_A/H_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:1A 參數(shù)2：電壓VR:400V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款快恢復/高效率二極管具有1A的正向電流（IF）承載能力，以及400V的反向電壓（VR）耐受性，適用于多種高壓應用。其正向電壓降（VF）低至1.3V，有助于降低能耗，提升系統(tǒng)效率。反向漏電流（IR）限制在5μA，確保了在非導通狀態(tài)下幾乎無電流損耗。瞬時正向峰值電流（IFSM）達到30A，能夠應對短時電流高峰。該二極管適用于高頻開關電源、整流電路以及其他需要高效能快速切換的應用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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