US1MHE3_A/H_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:1A 參數(shù)2：電壓VR:1000V 參數(shù)3：壓降VF:1.7V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款快恢復/高效率二極管具有1A的正向電流（IF）和高達1000V的反向電壓（VR），能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其正向壓降（VF）僅為1.7V，在保證性能的同時減少了能量損耗。反向漏電流（IR）控制在5μA以內，確保了在非導通狀態(tài)下的低能耗特性。瞬態(tài)峰電流（IFSM）可達30A，適用于需要處理瞬間大電流的應用場合。該二極管適用于高頻開關電源、逆變器以及各類電子設備中的整流與保護電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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