HIDK12G65C5_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263 類別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤 參數1:電流IO:12A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.3V 參數4:反向電流IR:50uA 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅二極管具備12安培的正向電流(IF/A),可承受高達650伏特的反向電壓(VR/V)。其正向電壓(VF/V)為1.3伏特,在確保高效能的同時降低了功耗。反向漏電流(IR/uA)為50微安,體現了優(yōu)異的絕緣特性。該二極管支持高達90安培的峰值瞬態(tài)電流(IFSM/A),適用于需要快速開關及穩(wěn)定整流性能的應用場合,能有效提升系統的整體效率與可靠性。
