HIDWD20G120C5XKSA1_TO-247-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-2L 類別:碳化硅二極管 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IO:20A 參數(shù)2:電壓VR:1200V 參數(shù)3:壓降VF:1.5V 參數(shù)4:反向電流IR:200uA 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有20安培的正向電流(IF),能夠承受最高達1200伏特的反向電壓(VR),確保了其在高電壓環(huán)境下的可靠性。該二極管的正向電壓降(VF)僅為1.5伏特,在大電流工作條件下能夠減少能量損耗。其反向漏電流(IR)為200微安,在非導通狀態(tài)下有效抑制了不必要的電流流動。瞬態(tài)正向浪涌電流(IFSM)最高可達130安培,適用于需要短時間承受電流峰值的應用場合。此元件適合用于需要高效率及穩(wěn)定性的電路設計中,如開關電源和其他需要高性能整流解決方案的領域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:13823583904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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