HFFSB1065B_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具有10A的正向電流（IF/A），能夠承受最高650V的反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）僅為1.3V，在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）不超過50微安。此外，該二極管瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM/A）可達(dá)80A，在高頻開關(guān)電源和其他需要高效能與高可靠性的電路中，可以提供卓越的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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