HIDK10G120C5_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管設(shè)計(jì)有10安培的正向電流（IF/A），并能承受高達(dá)1200伏特的反向電壓（VR/V），適用于需要堅(jiān)固電氣性能的應(yīng)用場(chǎng)景。其正向電壓降（VF/V）為1.4伏特，有效降低了能量損失。在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）限制在100微安，體現(xiàn)了出色的絕緣特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM/A），能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境中提供可靠的過(guò)流保護(hù)。這些技術(shù)規(guī)格使其成為構(gòu)建高性能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及其他對(duì)效率與穩(wěn)定性有要求的解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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