HIDH04G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:4A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
這款碳化硅二極管具有4安培的正向電流（IF），可在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，其最大反向電壓（VR）為650伏特。正向電壓降（VF）為1.3伏特，有助于減少能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）為50微安，顯示出良好的關(guān)閉特性。其峰值電流（IFSM）為23安培，意味著它可以處理瞬時(shí)高電流需求。這些特性使得該二極管非常適合應(yīng)用于需要高效能和可靠性的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
