HFFSB10120A_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:100uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款碳化硅二極管擁有10安培的正向電流（IF/A）承載能力，以及高達1200伏特的反向耐壓值（VR/V），適用于需要高電壓穩(wěn)定性的電路設(shè)計。其正向電壓降（VF/V）為1.4伏特，有助于提升系統(tǒng)效率。在反向狀態(tài)下，該二極管的漏電流（IR/uA）不大于100微安，顯示了良好的阻斷性能。此外，其瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM/A）可以達到90安培，適合應(yīng)用于需要承受短時電流沖擊的場合，如高性能電源管理解決方案或精密控制電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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