HUS1JHE3AH_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流IO:1A 參數2：電壓VR:600V 參數3：壓降VF:1.7V 參數4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款快恢復二極管設計用于高頻開關應用，具有1A的平均正向電流（IF），并在反向電壓（VR）下可承受高達1000V的電壓。其正向電壓降（VF）僅為1.7V，在確保高效能的同時，降低了能量損耗。在反向偏置條件下，漏電流（IR）控制在微安級別（5μA），保證了設備在非導通狀態(tài)下的低功耗特性。瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM）可達30A，適用于需要承受短時電流峰值的應用場景。這些特性使得該二極管成為在需要快速切換及高效率表現的電路設計中的理想選擇。
