IDL04G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8B 類別:碳化硅二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流IO:4A 參數(shù)2:電壓VR:650V 參數(shù)3:壓降VF:1.4V 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結(jié)構(gòu),額定正向電流(IF)為4A,反向重復峰值電壓(VR)達650V,適用于中等功率電力轉(zhuǎn)換應用。其正向?qū)▔航担╒F)為1.4V,具備較低的導通損耗,有助于提升系統(tǒng)能效。得益于碳化硅材料特性,器件具有快速開關速度、低反向恢復電荷及良好的高溫工作性能。常用于高效電源適配器、不間斷電源系統(tǒng)、通信電源模塊以及可再生能源發(fā)電設備中的整流與防反接電路,適合在高頻、高效率拓撲結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)緊湊化設計與可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:13823583904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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