IDL04G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:4A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為4A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，適用于中等功率電力轉(zhuǎn)換應用。其正向?qū)▔航担╒F）為1.4V，具備較低的導通損耗，有助于提升系統(tǒng)能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速開關速度、低反向恢復電荷及良好的高溫工作性能。常用于高效電源適配器、不間斷電源系統(tǒng)、通信電源模塊以及可再生能源發(fā)電設備中的整流與防反接電路，適合在高頻、高效率拓撲結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)緊湊化設計與可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
