C6D08065G-TR-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.38V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），在高負載條件下仍能保持穩(wěn)定性能。其正向?qū)▔航档椭?.38V，有效減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。基于碳化硅材料的特性，該器件支持高頻開關(guān)操作，反向恢復(fù)時間極短，可顯著降低開關(guān)損耗，適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計。典型應(yīng)用場景包括高效開關(guān)電源、高密度功率變換模塊及對熱管理要求嚴苛的緊湊型電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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