GBU408_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500/盒裝 參數(shù)1：電壓:800V 參數(shù)2：電流:4A 參數(shù)3：壓降:1.1V 參數(shù)4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款整流橋具備800V的反向電壓（VR）與4A的正向電流（IF），適用于小型交流轉直流應用。其1.1V的正向電壓降（VF）有助于提高能效，5μA的反向漏電流（IR）確保了低功耗表現(xiàn)。此外，它能在短時間內(nèi)承受高達150A的瞬態(tài)浪涌電流（IFSM），適用于電源適配器、充電設備及小型家用電器等多種場合，提供穩(wěn)定可靠的整流性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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