AON1605_DFN1006-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/350.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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AON1605 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN1006-3L封裝，適用于空間敏感和低功耗應(yīng)用。器件提供20V的漏源電壓VDSS，最大可處理0.8A的連續(xù)漏極電流ID，尤其適合用于電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動等場合。其350mR的導(dǎo)通電阻RD(on)在同類型器件中表現(xiàn)出較好的能效水平，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品及各類便攜式設(shè)備的電源管理和邏輯控制功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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