AON1606_DFN1006-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/220.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AON1606 是一款N溝道MOSFET，采用微型DFN1006-3L封裝，專為緊湊型和低功耗電子設(shè)備設(shè)計。其電氣特性包括最大漏源電壓VDSS為20V，可穩(wěn)定承載0.7A的漏極電流ID，且導(dǎo)通電阻RD(on)僅為220mR，確保在低電流應(yīng)用中仍能保持良好的效率表現(xiàn)。這款MOS管被廣泛應(yīng)用于電源管理、信號切換、電池保護(hù)電路以及各種便攜式和移動設(shè)備的低電壓、低電流開關(guān)控制中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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