RTR025P02FRA_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
RTR025P02FRA 是一款P溝道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封裝，適用于空間受限和高集成度的電路設(shè)計。器件特性包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，可穩(wěn)定提供4.1A的漏極電流(ID)，且導(dǎo)通電阻(RD(on))低至34mR，確保在低電壓應(yīng)用環(huán)境下也能實現(xiàn)高效能和低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、低壓電子設(shè)備中，是優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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