FDN86501LZ_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/4.5A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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FDN86501LZ 型號(hào)MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，尤其適合現(xiàn)代精密電路設(shè)計(jì)要求。作為一款N溝道MOSFET，它具備60V的高耐壓等級(jí)和4.5A的連續(xù)漏極電流，能夠在嚴(yán)苛的電壓電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。其核心優(yōu)勢(shì)在于70mΩ的超低導(dǎo)通電阻，有效降低了能量損耗，提升系統(tǒng)工作效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)等各種電子設(shè)備中，是實(shí)現(xiàn)高能效電路設(shè)計(jì)的理想元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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