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RJK0365DPA_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/50.0A 參數(shù)4:RDON/6.5mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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RJK0365DPA N溝道MOSFET采用現(xiàn)代化DFN5X6-8L封裝技術(shù),實現(xiàn)卓越的小型化與高效散熱。該器件關(guān)鍵特性包括支持30V的最大漏源電壓(VDSS),能提供穩(wěn)定的50A連續(xù)電流,而其低至6.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了出色的能效和低損耗。廣泛運用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等高電流應(yīng)用場景,是提升系統(tǒng)性能、實現(xiàn)節(jié)能目標的理想半導(dǎo)體組件。



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