AONS21357_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AONS21357 P溝道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封裝，具備優(yōu)秀散熱性能，適合緊湊空間布局。器件參數(shù)優(yōu)勢明顯支持30V的最高漏源電壓(VDSS)，能夠提供高達70A的連續(xù)電流，且導通電阻僅為6mΩ，有效提升系統(tǒng)工作效率，降低功耗。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等多種大電流場景，是您追求高性能與節(jié)能設計的理想半導體器件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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