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SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/80.0A 參數(shù)4:RDON/3.5mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET,采用緊湊型DFN5X6-8L封裝,專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。在20V電壓VDSS下,該器件能夠穩(wěn)定輸送高達80A的連續(xù)電流,展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其獨特之處在于擁有僅3.5mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on),有效提升了系統(tǒng)能效并減少了功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和其他需要高性能低損耗MOSFET的場合,SIR802DP-T1-GE3 無疑是您理想的選擇。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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