SI7635DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/18.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.4mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，優(yōu)化散熱性能和PCB占用面積。器件能在18V的電壓下穩(wěn)定工作，提供強勁的80A連續(xù)電流，而3.4mΩ的超低導(dǎo)通電阻確保了卓越的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)系統(tǒng)等領(lǐng)域的高電流開關(guān)與轉(zhuǎn)換場景，是實現(xiàn)高效能電力管理的理想解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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