SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIR836DP-T1-GE3 N溝道MOS管采用先進的DFN5X6-8L封裝技術(shù)，具備出色的熱性能和空間利用率。該器件可在40V電壓VDSS下承載高達50A的連續(xù)漏極電流ID，專為高電流應(yīng)用設(shè)計。其核心亮點在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)——11mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，SIR836DP-T1-GE3 MOS管是尋求高性能、節(jié)能解決方案的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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