SIR158DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIR158DP-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子產(chǎn)品設計。該器件能夠在30V的最大漏源電壓(VDSS)下穩(wěn)定工作，提供高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，表現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其亮點是擁有僅2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，確保在大電流應用中實現(xiàn)高效能和低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅(qū)動、快速充電等領域，是實現(xiàn)高性能電路設計的理想半導體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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