SI7336ADP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI7336ADP-T1-E3 是一款N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現代高集成度電子產品設計。器件在30V的最大漏源電壓(VDSS)下運行，可承載高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，彰顯其卓越的電力處理性能。導通電阻(RD(on))低至2mΩ，顯著減少功率損耗，提升電路效率，廣泛應用于電源轉換、電機驅動等高功率場景，是您實現高效節(jié)能電路的理想半導體元件選擇。
