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AON6508_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/150.0A 參數(shù)4:RDON/2.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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AON6508 N溝道MOS管選用先進的DFN5X6-8L封裝,兼顧小巧體積與高效性能。其額定電壓VDSS為30V,最大連續(xù)漏極電流高達150A,輕松應對高電壓大電流應用場景。尤為突出的是,器件導通電阻僅為2mΩ,確保在高負載條件下仍能維持低功耗和高效能運作。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領域,是您優(yōu)化電路設計、提升系統(tǒng)效能的理想半導體組件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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