IRFH8311PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFH8311PBF N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，針對現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨勢設(shè)計。該器件具有30V的最大漏源電壓，能承載高達150A的連續(xù)漏極電流，確保在重載條件下也能穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻僅為2mΩ，實現(xiàn)了低功耗和高效能轉(zhuǎn)換，特別適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域的高效能電路設(shè)計，是提升系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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