AON6358_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/150.0A 參數4:RDON/2.0mR 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
AON6358 N溝道MOS管采用了先進的DFN5X6-8L封裝形式,小巧且功能強大。該器件具有30V的最大穩(wěn)態(tài)漏源電壓,可支持高達150A的連續(xù)漏極電流,充分保證了在高電壓大電流條件下的可靠運行。更值得一提的是,其導通電阻僅為2mΩ,有效降低了能耗,提升了電路的工作效率。此款MOS管非常適合用于電源轉換、電機驅動及其它高端電力電子應用,是您優(yōu)化系統設計的理想之選。