CSD16321Q5_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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CSD16321Q5 N溝道MOS管采用先進(jìn)DFN5X6-8L封裝技術(shù)，體積精巧，性能強(qiáng)大。此器件承載電壓高達(dá)30V，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)150A，確保在高壓大電流環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系統(tǒng)效能，特別適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)合，是您實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能電路設(shè)計(jì)的理想伙伴。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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