AON6380_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/5.7mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AON6380 型號MOS管，采用先進DFN5X6-8L封裝技術(shù)，結(jié)構(gòu)緊湊，散熱性能優(yōu)秀。作為一款高性能N溝道MOSFET，其具備30V的最高耐壓值，以及驚人的70A連續(xù)漏極電流能力，充分展現(xiàn)了超強的電力處理性能。尤其引人注目的是僅有5.7mΩ的超低導通電阻，大大提升了能源效率并減少了功率損耗。廣泛應用于高功率開關(guān)電源、快速充電器、電機驅(qū)動等高電流領(lǐng)域，是業(yè)界領(lǐng)先的高效能半導體器件解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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