DMN2009USS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/6.3mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
DMN2009USS 型號MOS管采用精巧SOP-8封裝，內含高效N溝道技術，專為高功率應用設計。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，確保在20A連續(xù)漏極電流(ID)下的穩(wěn)定工作，展現(xiàn)卓越的電流承載能力。其導通電阻(RD(on))低至6.3mR，極大地提高了電能轉換效率并降低熱量損耗。廣泛應用于電源管理、馬達驅動、高電流開關控制等場景，是提升電子設備性能和節(jié)能表現(xiàn)的優(yōu)選半導體元器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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