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SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N+N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/8.0A 參數(shù)4:RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI9926CDY-T1-GE3 型號(hào)MOS管采用創(chuàng)新NN溝道工藝,封裝在節(jié)省空間的SOP-8封裝形式中,專為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)備設(shè)計(jì)。在20V額定電壓VDSS下,器件可穩(wěn)定承載8A的連續(xù)漏極電流ID,并配備超低的13mR導(dǎo)通電阻RD(on),實(shí)現(xiàn)高效率與低功耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體器件。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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