SI4410BDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4410BDY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為高效率、大電流應用設計。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載8.5A連續(xù)電流，且導通電阻低至14mΩ，確保在高負載條件下仍能保持出色的能效和低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場合，憑借卓越的電流處理能力和穩(wěn)定的電氣性能，成為電路設計的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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