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DMN3110S_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/4.0A 參數(shù)4:RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMN3110S 是一款N溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝,專為節(jié)約空間的電路設(shè)計(jì)打造。器件特征包括30V的最大漏源電壓(VDSS)及4A連續(xù)漏極電流(ID),展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))設(shè)計(jì),有效降低系統(tǒng)損耗,實(shí)現(xiàn)更高的能效比。DMN3110S 廣泛應(yīng)用在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域,是緊湊、高效半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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