FDN359AN_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDN359AN 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟型SOT-23封裝，特別適用于緊湊空間的電路設(shè)計。器件擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能持續(xù)輸出4A的漏極電流(ID)，以滿足不同功率需求。其引人注目的特點是導(dǎo)通電阻(RD(on))低至29mΩ，確保在運行過程中顯著降低功耗，提升系統(tǒng)能效。FDN359AN MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是追求高效節(jié)能解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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