Si2300DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2300DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專為緊湊型電路設(shè)計(jì)。器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定處理6A的連續(xù)漏極電流(ID)，體現(xiàn)卓越的電流承載力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅有22mΩ，有效減少功率損耗，提高能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域，是您追求高集成度與低功耗半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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