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BSS159N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/0.3A 參數(shù)4:RDON/1000.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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BSS159N 是一款N溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝,專為高密度電路設(shè)計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS),并能處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其導通電阻僅為1000mR,確保在導通狀態(tài)下降低功耗,提高能源利用效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等應(yīng)用場合,是實現(xiàn)高性能、低功耗半導體解決方案的理想選擇。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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