2N7002E-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
2N7002E-T1-E3 N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設計項目。該器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級別的應用。其導通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對較高，但在微小電流傳輸或信號控制方面表現(xiàn)出色。廣泛應用于電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換、低功率電路控制等領域，是微型化電子產(chǎn)品的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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