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SQ2308CES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/3.0A 參數(shù)4:RDON/72.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SQ2308CES-T1_GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝,專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計打造。器件具備強大性能參數(shù)最大漏源電壓(VDSS)高達60V,持續(xù)電流(ID)高達3A,且導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為72mΩ,確保在高負(fù)荷條件下仍能保持優(yōu)異的能源效率和散熱性能。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場景,以出色的效能和穩(wěn)定性,為您提供電路設(shè)計的上乘之選。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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