DMN3150L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/33.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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DMN3150L 是一款精巧的N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝形式，專為緊湊型電路設(shè)計打造。器件的核心優(yōu)勢在于具備30V的漏源極最大耐壓(VDSS)，可持續(xù)承載5A的漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大而穩(wěn)定的電流處理性能。尤為突出的是其低至33mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少了功耗，提高了系統(tǒng)能效。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換以及各種要求高效、低阻抗半導(dǎo)體解決方案的場景中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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