Si2329DS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2329DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件亮點(diǎn)在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩(wěn)定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等相關(guān)領(lǐng)域，是您在設(shè)計(jì)高集成度和節(jié)能方案時(shí)的理想MOS管器件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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