SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N溝道半導(dǎo)體器件，采用小型化DFN3X3-8L封裝技術(shù)，具有強大的電力處理能力。其特點是20V的VDSS耐壓值，以及驚人的60A持續(xù)電流ID，尤其引人注目的是其超低導(dǎo)通電阻僅4mR，有效降低損耗，提升整體效能。這款MOS管非常適合應(yīng)用于要求嚴苛的電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制等場景，為您帶來前所未有的能效體驗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
