IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFHM8329PBF MOS管采用先進的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，是一款高效的N溝道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強大的100A連續(xù)電流ID承載能力，展現(xiàn)了出色的電力控制性能。此外，該器件具有的超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅4mR，旨在大幅度降低能耗，提升系統(tǒng)能效，尤其適用于對功率密度和效率有較高要求的開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，為您的高端電子設(shè)計提供堅實保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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